우리 대학 지능형 반도체 소자 및 집적회로 연구실(S!LK) (지도교수: 최성진, 이윤정, 김대환) 소속인 일반대학원 지능형반도체및디스플레이전공 석사사과정 정성현 학생이 2025년 제32회 한국반도체학술대회(KCS)에서 “Gate-Voltage Difference Method for Separate Extraction of Parasitic Source and Drain Resistances in Individual MOSFETs under Linear Operation"라는 주제로 현장우수포스터상을 수상했다.

이번 연구는 반도체 소자의 성능 저하를 유발하는 주요 원인 중 하나인 기생 저항을 보다 정확하고 효율적으로 측정하는 새로운 방법을 제안하였다. 특히, 반도체 소자의 핵심인 MOSFET에서 소스(Source)와 드레인(Drain) 각각의 저항 값을 분리하여 정밀하게 분석할 수 있는 방법을 개발해 높은 평가를 받았다.

기존 방식은 측정 과정이 복잡하고 시간이 오래 걸리고, 필요한 반도체 소자의 개수가 많이 필요하다는 단점이 있었으나, 이번 연구에서는 단일 반도체 소자에서 게이트 전압의 차이만을 이용해 간편하면서도 정밀하게 저항 값을 추출할 수 있는 방법을 제시하였다. 이로 인해 반도체 소자의 성능 평가 및 제조 과정에서의 품질 관리를 보다 효율적으로 수행할 수 있을 것으로 기대된다.

이번 수상은 우리 대학과 지능형반도체소자 및 집적회로 연구실(S!LK)의 우수한 연구 역량을 다시 한 번 입증하는 성과로, 향후 반도체 기술 발전에 지속적으로 기여할 것으로 기대된다.