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미래반도체소자 원천기술개발사업 KSRC Awards 수상 / 이용우(대학원 전자공학과 16 박사) | |||||
작성일 | 19.09.04 | 작성자 | 채종희 | ||
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조회수 | 2503 | ||||
게시물 내용국민대학교 일반대학원 전자공학과 이용우(반도체 소자 및 집적회로 연구실: 김동명 교수, 김대환 교수, 최성진 교수 공동 연구실 / 석박사 통합과정 16학번) 학생이 미래반도체소자 원천기술개발사업에서 우수한 연구 성과를 인정받아 한국 반도체 연구 조합으로부터 '제3회 KSRC(Korean Semiconductor Research Corporation) Awards'를 수상하였다.
미래반도체소자 원천기술개발사업은 유망 반도체 기술들을 선정하여 정부 기관과 민간 기업이 공동 투자하는 미국의 SRC(Semiconductor Research Corporation)를 모델로 한 한국형 반도체 기술개발사업(KSRC)이다. 2013년도부터 시작된 본 사업은 산업통상자원부와 민간 반도체산업체(삼성전자, SK 하이닉스 등)이 함께 연구 재원을 조성하여, 산업체에서 가장 현안이 되고 있는 대학·연구소에서 미래 반도체 기술을 연구하고, 미래 반도체 기술을 선도할 우수 인력의 양성을 목표로 한다.
최성진 교수가 세부 연구 책임으로 참여하고 있는 '5nm 급 이하 차세대 Logic 소자 원천요소기술개발(5년간 50억)' 미래반도체소자 원천기술개발사업은 성균관대학교를 책임 기관으로 국민대학교를 포함하여 8개 대학의 최우수 연구진이 참여한다. 본 사업에서는 점점 작아지는 반도체 소자의 물리적인 스케일링 한계를 극복하고, 전기적 성능을 향상시킬 수 있는 구조 및 원천기술 개발을 수행한다. 5nm 이하의 반도체 소자를 구현하기 위해 반도체 채널의 전면을 게이트가 감싸고 있는 전자 소자 구조(gate-all-around, GAA)를 기반으로 양산형 반도체 소자 및 집적회로 공정을 개발하며, 기존 실리콘(Si) 대비 이동도가 높은 실리콘저마늄(SiGe), 저마늄(Ge) 등의 채널 물질을 이용한 GAA 반도체 소자의 연구도 동시에 수행한다.
이용우 석박사 통합과정 학생은, 반도체 소자의 집적도 수준을 유지하면서 성능을 향상시킬 수 있는 원천요소기술개발을 위해 5nm 이하 급의 나노시트(nanosheet) 채널 기반의 GAA 반도체 소자를 제작하고, 제작된 소자 전기적 특성 평가 및 분석을 이행하여 과제의 목표를 충실히 수행 중이다. 또한, 우수한 국제 SCI 저널(JCT ranking 10% 이내)에 제1저자와 공동 저자로 게재한 경험, 다수의 해외 학회 실적 보유, 그리고 다수의 특허 출원·등록한 성과를 인정받아 국내 최우수 연구진들과 경합을 벌여 한국반도체연구조합에서 제3회 KSRC Awards를 수상하게 되었다.
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